Thyristor-Diode Modules--SIRECTIFIER

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型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style	Datasheet
	IT			VDRM	ITSM	VTO	rT	dv/dt	TVJM	RthJC
	ITRMS	ITVM @TC		/VRRM	45°C/10ms	VTO	rT	dv/dt	TVJM	per chip
	A	A	°C	V	A	V	mΩ	V/μs	°C	K/W
SDT116GK18B	182	116	85	1800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
SDT181GK08B	284	181	85	800	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
SDT181GK12B	284	181	85	1200	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
SDT181GK14B	284	181	85	1400	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
SDT181GK16B	284	181	85	1600	6000	0.8	1.6	1000	125	0.155	Fig. 18	PDF
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STD18GK08	28	18	85	800	400	0.85	18	1000	125	1.3	Fig. 36	PDF
STD18GK08	28	18	85	800	400	0.85	18	1000	125	1.3	Fig. 36	PDF
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