Thyristor-Diode Modules--SIRECTIFIER

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型号 TYPE	电气特性Electrical Characteristics										封装外形 Package Style	Datasheet
	IT			VDRM	ITSM	VTO	rT	dv/dt	TVJM	RthJC
	ITRMS	ITVM @TC		/VRRM	45°C/10ms	VTO	rT	dv/dt	TVJM	per chip
	A	A	°C	V	A	V	mΩ	V/μs	°C	K/W
SDT70GK12B	110	70	85	1200	1600	0.85	3.7	1000	125	0.45	Fig. 18	PDF
SDT70GK14B	110	70	85	1400	1600	0.85	3.7	1000	125	0.45	Fig. 18	PDF
SDT70GK16B	110	70	85	1600	1600	0.85	3.7	1000	125	0.45	Fig. 18	PDF
SDT70GK18B	110	70	85	1800	1600	0.85	3.7	1000	125	0.45	Fig. 18	PDF
SDT90GK08B	141	90	85	800	1700	0.85	3.2	1000	125	0.3	Fig. 18	PDF
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SDT100GK08B	157	100	85	800	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
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SDT100GK20B	157	100	85	2000	1700	0.85	3.2	1000	125	0.22	Fig. 18	PDF
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SDT116GK08B	182	116	85	800	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
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SDT116GK14B	182	116	85	1400	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF
SDT116GK16B	182	116	85	1600	2250	0.8	2.4	1000	125	0.27	Fig. 18	PDF

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